MKY-CSJJ-1可控硅測(cè)試夾具 概述 1.1 適用范圍 本測(cè)試夾具適用于大電流可控硅和整流元件的電參數(shù)測(cè)試。 1.2 產(chǎn)品特點(diǎn) 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單牢固、使用方便、易于維修。 2 技術(shù)參數(shù) 2.1 極板直徑: 100mm、 2.2 行程:40mm 2..3壓力: 10噸 2.4 外型尺寸: 375×165×600mm 2.5 重量: 30kg
MKY-DBC-352晶閘管少子壽命測(cè)試儀 適用范圍及特點(diǎn) 用于測(cè)試可控硅或PN結(jié)(二極管)的長(zhǎng)基區(qū)少子壽命。 數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果,自動(dòng)測(cè)試。 主要參數(shù) 少子壽命測(cè)量范圍:0.1-99us 外形尺寸:440X440X150mm 整機(jī)重量:10kg
MKY-DBC-094晶閘管關(guān)斷時(shí)間測(cè)試儀 適用范圍及特點(diǎn) 用于測(cè)試可控硅的關(guān)斷時(shí)間。 數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果,自動(dòng)完成測(cè)試。 主要參數(shù) 關(guān)斷時(shí)間測(cè)量范圍: 5-500us 外形尺寸:600X600X1250mm 整機(jī)重量:32kg
MKY-DBC-051晶閘管dv/dt測(cè)試儀 適用范圍及特點(diǎn) 用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。 數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM 。 主要參數(shù) 測(cè)量范圍: 斷態(tài)峰值電壓VDM 0-2000V; 電壓臨界上升率dV/dt 30-1000V/us 外形尺寸:440X440X150mm 整機(jī)重量:15kg
MKY-DBC-013B晶閘管通態(tài)降壓測(cè)試儀 適用范圍及特點(diǎn) 主要參數(shù) ◇ 用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅、可控硅模塊的通態(tài)峰值電流ITM和峰值壓降VTM ◇ 用于測(cè)試整流管的正向峰值電流IFM和峰值壓降VFM。 數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果,自動(dòng)測(cè)試。 通態(tài)峰值電流值測(cè)試前可準(zhǔn)確設(shè)定,并具有良好的測(cè)試重復(fù)性。 峰值電流測(cè)量范圍: 100-9000A 峰值壓降測(cè)量范圍: 0-7V
MKY-DBC-013AC晶閘管伏安特性測(cè)試儀 主要參數(shù) 峰值電流測(cè)量范圍: 30-3000A 峰值壓降測(cè)量范圍: 0-7V 外形尺寸: 440×440×150mm 2箱 整機(jī)重量: 35kg